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Abbott anunció expansión de instalación de semiconductores GlobiTech en Sherman

In Texas
June 27, 2022
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El gobernador Greg Abbott anunció que GlobiTech, Incorporated (“GlobiTech”) establecerá una planta de fabricación adicional en Sherman, Texas. GlobiTech, una subsidiaria de GlobalWafers Co., Ltd., con sede en Taiwán, ofrece productos y servicios de epitaxia de silicio a la industria mundial de semiconductores. Este proyecto creará 1500 nuevos puestos de trabajo y generará miles de millones de dólares en inversiones de capital. Una subvención de Texas Enterprise Fund (TEF) de $ 15 millones se ha extendido a GlobiTech. Además, a GlobiTech se le ha ofrecido un bono de trabajo creado por veteranos de $10,000.

“El estado de Texas continúa atrayendo y apoyando a fabricantes de clase mundial e inversiones globales que lideran avances en innovación y tecnología”, dijo el gobernador Abbott.

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“La asociación continua de GlobiTech con la ciudad de Sherman creará más de mil nuevos empleos para la región e invertirá miles de millones de dólares en la economía de nuestro estado, impulsando la posición global de Texas en la industria de semiconductores en medio de una escasez mundial de chips. Esperamos continuar trabajando con GlobiTech para seguir brindando oportunidades económicas a través de su presencia ampliada en el estado de Lone Star”.

“Las obleas de silicio avanzadas de 300 milímetros se fabrican actualmente en Asia, lo que obliga a la industria de semiconductores de EE. UU. a depender de las obleas de silicio importadas”, dijo Mark England, presidente de GlobiTech. “Esta emocionante y audaz inversión en mi ciudad natal de Sherman representará la primera nueva instalación de obleas de silicio en los EE. UU. en más de dos décadas y cerrará una brecha crítica en la cadena de suministro de semiconductores”.

“Con la escasez global de CHIPS y las preocupaciones geopolíticas en curso, GlobalWafers está aprovechando esta oportunidad para abordar el problema de la capacidad de recuperación de la cadena de suministro de semiconductores de los Estados Unidos mediante la construcción de una fábrica de obleas de silicio de 300 milímetros de última generación con nodos avanzados”, dijo Doris Hsu.